全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國(guó)vishay旋轉(zhuǎn)二極管

時(shí)間：2021-06-09作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：88

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高

• 熔斷器保險(xiǎn)絲廠家

  熔斷器又稱為保險(xiǎn)絲，是用于保護(hù)電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負(fù)載之間，電流過高時(shí)便會(huì)觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”)，把負(fù)載從電源中斷開，減低過流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險(xiǎn)。燒斷了的保險(xiǎn)絲必須棄置并替換，這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過保險(xiǎn)絲價(jià)格便宜，而且容易替換。新的保險(xiǎn)絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險(xiǎn)絲提供的安全機(jī)制使得它們成為各種應(yīng)用的的**助

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT簡(jiǎn)介

  IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙較型晶體管，是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上

• 整流橋模塊出售

  整流橋故障檢測(cè)方法：（1）如果正極性和負(fù)極性直流輸出電壓都不正常時(shí)，可以不必檢查整流二極管，而是檢測(cè)電源變壓器，因?yàn)閹字徽鞫O管同時(shí)出現(xiàn)相同故障的可能性較小。（2）對(duì)于某一組整流電路出現(xiàn)故障時(shí)，可按**介紹的故障檢測(cè)方法進(jìn)行檢查。這一電路中整流二極管中的二極管VD1和VD3、VD2和VD4是直流電路并聯(lián)的，進(jìn)行在路檢測(cè)時(shí)會(huì)相互影響，所以準(zhǔn)確的檢測(cè)應(yīng)該將二極管脫開電路。整流橋的分類：整流橋具有體積