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詞條說明
1、快恢復(fù)二極管模塊快恢復(fù)二極管是一種能快速從通態(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開關(guān)閉合(電路接通),截止時(shí)相當(dāng)于開關(guān)打開(電路切斷)。特性是開關(guān)速度快,快恢復(fù)二極管能夠在導(dǎo)通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高器件的使用頻率和改善波形。快恢復(fù)二極管模塊分400V快恢復(fù)二極管模塊,600V快恢復(fù)二極管模塊,1200V快恢復(fù)二極管模塊等。2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二
二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件? 。它具有單向?qū)щ娦阅埽?即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時(shí),二極管導(dǎo)通。?當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時(shí),二極管截止。?因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開 。二極管是較早誕生的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用非常廣泛。特別是在各種電子電路中,利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進(jìn)行合理的連接,構(gòu)成
英飛凌IGBT模塊檢測方法 :測試方式:用萬用表只能測量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測量出來,但是,若IGBT是好的,它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn):GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負(fù)表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導(dǎo)通狀態(tài),電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
IGBT簡介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
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