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全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國(guó)vishay旋轉(zhuǎn)二極管
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國(guó)vishay旋轉(zhuǎn)二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克(Infineon)、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達(dá)、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國(guó)外**公司生產(chǎn)的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復(fù)二極管、整流橋、電解電容、驅(qū)動(dòng)電路、M
二極管工作原理二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。?當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起
方法一:可控硅模塊測(cè)量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔,如果測(cè)得T2-T1、T2-G之間的正反向電阻接近∞,而萬用表置于R×10檔測(cè)得T1-G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時(shí),就說明雙向可控硅是好的,可以使用;反之:1、若測(cè)得T2-T1,、T2-G之間的正反向電阻較小甚或等于零.而Tl-G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí).就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用;2、如
雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)性損壞。標(biāo)準(zhǔn)二極管模塊特點(diǎn):*JEDEC TO-240 AA **標(biāo)準(zhǔn)封裝*直接銅敷
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