IGBT功率模塊

時(shí)間：2022-06-22作者：江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司瀏覽：270

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 整流橋原理

  ? ? ? 整流橋堆：整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。? ? ? 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。? ? ? 全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值(*高反向電

• 可控硅模塊有何不同

  可控硅模塊批發(fā)?可控硅模塊有何不同1、從產(chǎn)品性能的角度來(lái)看，昆二晶可控硅模塊已專(zhuān)注于電子元器件行業(yè)15年。經(jīng)過(guò)這么多年的技術(shù)沉淀，其產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入成熟期，性能穩(wěn)定，質(zhì)量有保場(chǎng)上許多昆二晶可控硅模塊在五六年前仍在正常使用。2、實(shí)力方面，昆二晶整流器擁有5000平方米的生產(chǎn)廠房，1萬(wàn)平方米的建筑面積擁有專(zhuān)業(yè)的技術(shù)和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)，并獲得國(guó)家**企業(yè)稱(chēng)號(hào)3、從材料的角度來(lái)看，昆二晶硅可控模塊采用（

• igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

  igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過(guò)一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此，IG失效的常見(jiàn)原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí)，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，請(qǐng)勿在接線前連接模塊；igbt模塊

• 整流橋參數(shù)選擇

  ? ? ? 隔離式開(kāi)關(guān)電源一般采用由整流管構(gòu)成的整流橋，亦可直接選用成品整流橋，完成橋式整流。全波橋式整流器簡(jiǎn)稱(chēng)硅整流橋，它是將四只硅整流管接成橋路形式，再用塑料封裝而成的半導(dǎo)體器件。它具有體積小、使用方便、各整流管的參數(shù)一致性好等優(yōu)點(diǎn)，可廣泛用于開(kāi)關(guān)電源的整流電路。硅整流橋有4個(gè)引出端，其中交流輸入端、直流輸出端各兩個(gè)。? ? ? &n