整流橋參數(shù)選擇

時(shí)間：2022-06-22作者：江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司瀏覽：308

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  詞條說明

• 進(jìn)口的IG模塊和國產(chǎn)的模塊的區(qū)別是什么

  進(jìn)口的IG模塊和國產(chǎn)的模塊的區(qū)別是什么1.進(jìn)口IG模塊與國產(chǎn)模塊的價(jià)格相差很大。igbt模塊價(jià)格Ig模塊是許多電子工業(yè)設(shè)備的**部件。Ig模塊通過控制設(shè)備內(nèi)部的電流來調(diào)節(jié)設(shè)備的功能。模塊對設(shè)備的影響相當(dāng)于人體的心臟。例如，感應(yīng)爐的高頻生成來自Ig模塊（每秒振動數(shù)十萬次，較累的是Ig模塊）。Ig模塊也是商用電磁爐較昂貴的部件之一。不同品牌來源模塊的價(jià)格也不同。國產(chǎn)模塊與進(jìn)口模塊的成本相差數(shù)倍，數(shù)字芯

• 什么是IGBT

  ? ? IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙較型晶體管。從功能上來說，IGBT就是一個(gè)電路開關(guān)，優(yōu)點(diǎn)就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高。用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕，它是由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開關(guān)，就可以設(shè)計(jì)出一類電路，通過計(jì)算機(jī)控制IGB

• 可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法

  可控硅模塊批發(fā) 可控硅模塊的升溫3個(gè)方法1.昆明二晶可控硅模塊環(huán)境溫度測量：溫度計(jì)放置在距被測硅模塊表面1.5m的溫度計(jì)中，溫度計(jì)測量點(diǎn)與減速器軸線的高度。溫度計(jì)的放置不受外部輻射熱和氣流的影響，環(huán)境溫度值和工作溫度值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2.可控硅模塊的溫升按以下公式計(jì)算公式中:δt-可控硅模塊溫升，℃。3.可控硅模塊工作溫度測量：可控硅模塊溫升測量通常與減速器的承載能力和傳動效率測量同時(shí)進(jìn)行，也可

• igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

  igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此，IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí)，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時(shí)，請勿在接線前連接模塊；igbt模塊