等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備有哪些特點(diǎn)《臺(tái)風(fēng)資訊》


    鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司專注于PVD鍍膜設(shè)備,化學(xué)氣相沉積,金剛石涂層等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • PVD技術(shù)在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

    在快速發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,物相沉積(PVD)是實(shí)現(xiàn)薄膜沉積工藝精度和效率的關(guān)鍵工具。讓我們一起來(lái)了解PVD技術(shù)在半導(dǎo)體行業(yè)中的應(yīng)用。物相沉積涉及在半導(dǎo)體襯底上沉積薄膜,利用諸如濺射或蒸發(fā)等物理過(guò)程。PVD的多功能性和可控性使其成為半導(dǎo)體制造中的寶貴工具,可以創(chuàng)建復(fù)雜和的設(shè)備。PVD在微電子學(xué)中的應(yīng)用薄膜晶體管(TFTs)PVD在TFT的制造中起著關(guān)鍵作用,TFT是平板顯示器、發(fā)光二管(OLED)

  • 熱絲CVD金剛石解決方案

    【前言】金剛石是自然界已發(fā)現(xiàn)的具有較高的硬度、強(qiáng)度、耐磨性材料,金剛石具有的熱導(dǎo)率、透過(guò)波段、聲速以及半導(dǎo)體特性和化學(xué)惰性等綜合性能使其成為當(dāng)今世界上較優(yōu)秀的*材料。上世紀(jì)80年代初期通過(guò)化學(xué)低壓氣相沉積生成金剛石薄膜(CVD)技術(shù)**突破性進(jìn)展,經(jīng)過(guò)多年的研究發(fā)展,CVD金剛石生長(zhǎng)技術(shù)已日漸成熟。目前已有四種形態(tài)的CVD金剛石產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng),它們是:1)純多晶金剛石厚片 2)涂層金剛石;3)大

  • 鵬城半導(dǎo)體玻璃基板TGV技術(shù)助力封裝

    在xian jin封裝領(lǐng)域中,無(wú)論是2.5D封裝中的interposer 還是3D封裝中都要用到TSV,但是zui近很多人都聽(tīng)說(shuō)玻璃通孔(Through Glass Via,TGV)這個(gè)詞。玻璃通孔(TGV)潛能ju da,未來(lái)可能將是xian jin封裝技術(shù)中的??汀1疚膶⒑?jiǎn)要描述玻璃通孔(TGV)在xian jin封裝的應(yīng)用及發(fā)展趨勢(shì)以及工藝簡(jiǎn)介。玻璃基板是下一代芯片基板,he xin材料由玻

  • 新聞快訊-鵬城半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備

    材料的輸運(yùn)采取了**純的氣路系統(tǒng),源的切換和輸入采用了多路組合閥進(jìn)氣技術(shù)。由于組合閥具有較小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利于生長(zhǎng)具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動(dòng),有利于材料生長(zhǎng)的重復(fù)性和穩(wěn)定性。采用了管道鑲嵌式進(jìn)氣噴頭,使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。

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