詞條
詞條說(shuō)明
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
萬(wàn)用表檢測(cè)普通二極管的襲極性與好壞。檢測(cè)原理:根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點(diǎn)性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個(gè)數(shù)值相差越大越好。若相差不多說(shuō)明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測(cè)量時(shí),選用萬(wàn)用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因?yàn)镽xl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大,易擊穿二極管.測(cè)量方法:將兩表棒分別接在二極管
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。最早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)
熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲或保險(xiǎn)管。最早的保險(xiǎn)絲于一百多年前由愛迪生發(fā)明,由于當(dāng)時(shí)的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重,所以,最初是將它用保險(xiǎn)絲來(lái)保護(hù)價(jià)格昂貴的白熾燈的。熔斷器保護(hù)電子設(shè)備不受過(guò)電流的傷害,也可避免電子設(shè)備因內(nèi)部故障所引起的嚴(yán)重傷害。因此,每個(gè)熔斷器上皆有額定規(guī)格,當(dāng)電流超過(guò)額定規(guī)格時(shí)保險(xiǎn)絲將會(huì)熔斷。當(dāng)介于常規(guī)不熔斷電流與相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的額定分?jǐn)嗄芰?的電流)之間的電流作用于熔斷器時(shí),熔斷器應(yīng)能滿意地
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