芯片測(cè)試方法匯總

時(shí)間：2020-03-20作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：118

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• 詞條

  詞條說明

• 聚焦離子束FIB詳細(xì)介紹

  聚焦離子束FIB詳解 1.引言 隨著納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展*，而納米加工就是納米制造業(yè)的**部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來發(fā)展起來的聚焦離子束（FIB）技術(shù)利用高強(qiáng)度聚焦離子束對(duì)材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀察，成為了納米級(jí)分析、制造的主要方法。目前已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路修改、切割和故障分析等。 2.工作原理 聚焦離子束(ed

• x-ray檢測(cè)內(nèi)容

  X射線(X-ray)檢測(cè) X射線(X-ray)檢測(cè)儀是在不損壞被檢物品的前提下使用低能量X 光，快速檢測(cè)出被檢物。 利用高電壓撞擊靶材產(chǎn)生X射線穿透來檢測(cè)電子元器件、半導(dǎo)體封裝產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)構(gòu)造品質(zhì)、以及SMT各類型焊點(diǎn)焊接質(zhì)量等[1] 。 型號(hào):XD7500NT 參考標(biāo)準(zhǔn):《IPC-A-610E電子組裝件的驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)》、《GB/T 17359-1998電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析方法通則》

• FIB技術(shù)在失效中應(yīng)用

  FIB技術(shù)的在芯片設(shè)計(jì)及加工過程中的應(yīng)用介紹： 1.IC芯片電路修改 用FIB對(duì)芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對(duì)芯片問題處作針對(duì)性的測(cè)試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對(duì)此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離