國芯思辰｜中微愛芯線性鋰電池充電器AIP4054 SOT23-5用于追蹤器上，無需外設MOSFET和阻塞二極管

時間：2022-11-03作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：159

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• 國芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制，滿足項目性能需求

  YC40N04BDE是優(yōu)晶的N溝道MOSFET，該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點，廣泛應用在DC/DC轉換、服務器的板載電源以及同步整流線路中。某工程師在PCR項目TEC控制部分需要用到4個N溝道場效應管來控制TEC，該工程師想要了解一些國產(chǎn)廠牌的MOS，因此國芯思辰給其介紹了優(yōu)晶的N溝道場效應管YC40N04BDE。YC40N04BDE具有以下特點：1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術，VD

• 國芯思辰|肖特基二極管B1D02065K助力醫(yī)療設備電源功率密度的提升

  在嚴格醫(yī)療要求的設備中，電源的設計電不僅要達到理想的效率，同時盡可能保持小巧緊湊，且必須滿足IEC60601-1的嚴格要求和一系列的技術標準，旨在確保醫(yī)療電氣設備的安全性和性能。本文主要介紹基本半導體碳化硅肖特基二極管B1D02065K用于嚴格的醫(yī)療設備中，B1D02065K優(yōu)越的性能和較高的工作效率是電源設計的可以選擇產(chǎn)品。碳化硅肖特基二極管B1D02065K碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，與傳統(tǒng)的

• 國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M080120HK助力光伏逆變器升壓電路設計

  如下圖為典型的光伏逆變器框圖。該光伏逆變器設計主要由BOOST電路和逆變電路組成。BOOST電路的功率器件通常選擇IGBT單管和SiC二極管搭配使用。為了提高功率密度，需要BOOST開關頻率越高，因為這樣可以降低BOOST電感體積，提高功率密度，由于IGBT的開關頻率受制于開關速度和拖尾電流等因素，其開關頻率一般不**過20kHz，如果開關頻率過高的話，會導致開關損耗太大，發(fā)熱量劇增而損壞。因此，要

• 國芯思辰｜國產(chǎn)16位ADC GAD7699用于PLC的壓力信號采集，含8個模擬輸入通道，性能兼容AD7699

  PLC指可編程邏輯控制器，可編程邏輯控制器是專門為在工業(yè)環(huán)境下應用而設計的數(shù)字運算操作電子系統(tǒng)，國芯思辰某工程師的PLC需要采集壓力信號，需要將壓力經(jīng)過ADC處理后，數(shù)據(jù)傳輸給MCU。具體結構如圖所示：工程師的需求是：采集壓力傳感信號需要ADC，通道數(shù)8，分辨率不小于16bit?；诠こ處煹男枨髧舅汲较蚩蛻敉扑]了地芯科技的ADC GAD7699，使用該芯片的優(yōu)勢在于：1、單模擬電源供電VDD：4