BY25D16 全新原裝 FLASH存儲(chǔ)器芯片IC

時(shí)間：2021-08-19作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：112

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• AOS/美國(guó)萬(wàn)代 AON6482 AOS原裝優(yōu)勢(shì) MOS管

  AON6482結(jié)合了先進(jìn)的溝槽MOSFET技術(shù)與低電阻包，以提供極低的RDS(ON)。該設(shè)備是理想的升壓轉(zhuǎn)換器和同步整流器為消費(fèi)者、電信、工業(yè)電源和LED背燈。 A. 通過(guò)安裝在1英寸2FR-4板上，在TA=25的靜止空氣環(huán)境下測(cè)量RθJA的值°C.功耗PDSM基于RθJA，最大允許結(jié)溫度為150°C.任何給定應(yīng)用中的值取決于用戶的特定板設(shè)計(jì)，如果PCB允許，可使用最高溫度為175°C B.功耗P

• 供應(yīng) 全新原裝 EM6AA160TSE-5G EM6AA160 內(nèi)存 閃存芯片

  EM6AA160 SDRAM是一種高速CMOS雙數(shù)據(jù)速率同步DRAM，包含256Mbit。 它在內(nèi)部配置為一個(gè)4米x 16的DRAM，帶有一個(gè)同步接口（所有信號(hào)都記錄在時(shí)鐘信號(hào)CK的正邊緣）。 數(shù)據(jù)輸出發(fā)生在CK和CK的上升沿。對(duì)SDRAM的讀寫訪問(wèn)是面向突發(fā)的；訪問(wèn)從選定的位置開始，然后按編程順序繼續(xù)訪問(wèn)編程的多個(gè)位置。 訪問(wèn)首先注冊(cè)BankActivate命令，然后是讀或?qū)懨睢M6AA16

• 全新原裝 芯片 ADG658YRU 貼片TSSOP16 ADG658YRUZ 集成電路 IC

  ADG658和ADG659是低壓的，CMOS模擬多路復(fù)用器分別由8個(gè)單通道和4個(gè)差分通道組成。ADG658將8個(gè)輸入端之一（S1-S8）切換到公共輸出端D，由3位二進(jìn)制地址線A0、A1和A2確定。ADG659將四個(gè)差分輸入中的一個(gè)轉(zhuǎn)換為公共差分輸出，作為由2位二進(jìn)制地址線A0和A1確定的差分輸出。這兩個(gè)設(shè)備上的EN輸入都用于啟用或禁用該設(shè)備。當(dāng)禁用時(shí)，所有通道都將關(guān)閉。 這些部件是設(shè)計(jì)在一個(gè)增強(qiáng)的

• 供應(yīng)原裝正品 貼片 TPS22976DPUR 22976 WSON-14 雙通道負(fù)載開關(guān)芯片

  說(shuō)明 TPS22976 產(chǎn)品系列包含三款器件：TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每款器件都是一個(gè)接通 受控的雙通道負(fù)載開關(guān)。此器件包含兩個(gè)可在 0.6V 至 5.7V 輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的 N 溝道 MOSFET，并且每通道可支持最大 6A 的持續(xù)電流。每個(gè)開關(guān)可由一個(gè)導(dǎo)通/關(guān)斷輸入（ON1 和 ON2）獨(dú)立控制，此輸入可與低壓控制信號(hào)直接連接。TPS22976 能夠在