詞條
詞條說明
一、什么是MOS管?MOS管全稱金屬—氧化物—半導體場效應晶體管或稱金屬—絕緣體—半導體場效應晶體管,英文名metal oxide semiconductor,屬于場效應管中的絕緣柵型,因此,MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應管。二、MOS管的構造。MOS管這個器件有兩個電極,分別是漏較D和源較S,無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上,用半導體光刻、擴散工藝制作兩個
stasnon 原廠STC4606規(guī)格參數(shù)NP30V 6.5A大量現(xiàn)貨
STANSONSTC4606可替代型號:STC4606替代Si4532CDY、AO4606、NCE4606、AO4616、AO4624、FDS8958、WSP4620、SM9435PSK、GF6706A、AO4627、AO4629、UD4606、UP2790STC4606產(chǎn)品介紹:stc4606是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程,特別是量身定制,以盡
STP4925 SOP-8 P30V 7.2A stanson廠家大量現(xiàn)貨
描述stp4925是雙P溝道增強型功率場效應晶體管邏輯使用的是高密度,DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制,以盡量減少對國家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用,筆記本電腦電源管理,和其他電池供電的電路,高側開關特征-30V / -7.2a,RDS(上)= 20mΩ(典型值@ VGS = - 10V-30V / -5.6a,RDS(上)= 25mΩ@ VGS = 4.5v**高密度電池設計
STN4402參數(shù) 30V 12A 廠家直銷MOS管場效應管
產(chǎn)品描述:STN4402是N溝道增強型功率場效應晶體管邏輯,它是利用高密度,DMOS器件溝道技術。這種高密度過程是特別定制,以盡量減少工作時的阻力。這些器件特別適合于低電壓應用,如電源管理和其他高側開關的電池供電電路特征30V?/?12A,RDS(ON)=?13MΩ(典型值)@?VGS?=?10V30V/10A,RDS(ON)= 
公司名: 司坦森集成電路(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 唐二林
電 話: 13168017351
手 機: 13168017351
微 信: 13168017351
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福田區(qū)福明路雷圳大廈2605
郵 編:
網(wǎng) 址: stansontech.cn.b2b168.com
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