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肖特基二極管MUR3040PT 的反向擊穿電壓和正向壓降測試記錄 ? 測試器件 MUR3040PT(ON) 測試項目 1.二極管反向擊穿電壓 2.二極管正向壓降 ? 測試方法 1.測試二極管反向擊穿電壓 用20KV高精度測試**穩(wěn)壓可調(diào)電源反向連接二極管,測試二極管的反向擊穿電壓。測試連接結(jié)構(gòu)如右圖所示,紅線所示連接1,黑線連接二極管2,撥動一下20KV穩(wěn)壓電源的測試按鈕,即
圖1 產(chǎn)品外觀圖 一、 概述 PID控制溫度的參數(shù)、適應(yīng)的溫度范圍有限,50~1300℃大溫度范圍的控制,一般采用多點曲線升溫的方式,單一的PID參數(shù)容易引發(fā)高溫段或者低溫段的震蕩現(xiàn)象,引發(fā)系統(tǒng)失調(diào),損壞電熱絲和熱電偶,經(jīng)過長期的實驗調(diào)試,這里推出多參數(shù)PID控制電源,用于大溫度范圍的控制。PID控制電源人性化的在**板引入較大輸出功率限制調(diào)節(jié)旋鈕,通過設(shè)定旋鈕位置,保證了加熱系統(tǒng)的安全;電源前
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析 IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析 BJT?管并聯(lián)均流技術(shù)分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內(nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設(shè)計的需求時就遇到了并聯(lián)mos管的問題。并聯(lián)mos管的兩大問題,其一就是mos管的選型,其二就是mos管參數(shù)的篩選。 首先我們測試從某網(wǎng)店購買的IRF4
0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動源
0-15A智能PID半導(dǎo)體制冷片恒流驅(qū)動源 (型號:TEC-300W-15A-20) 可用于控制激光器件、 醫(yī)療器件、半導(dǎo)體器件、紅外探測器、光電倍增管、或其它任何需要溫度控制的地方。該產(chǎn)品采用現(xiàn)代較新電力電子器件和高速微處理器(MPU)程序控制技術(shù),以及PWM調(diào)制、雙向電源、PID調(diào)節(jié)技術(shù),具有優(yōu)良的電壓、電流輸出特性,開關(guān)機時無過沖、反沖、浪涌現(xiàn)象,并帶有過流、過溫、欠溫等保護電路,以及一組常
公司名: 長春艾克思科技有限責任公司
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 0431-81672978
手 機: 15604406391
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